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IT之家10月7日音讯 今日,三星宣告成功开发出界首个12层3D-TSV(直通硅通孔)技能。这是业界首个将3D TSV封装推进到12层的工艺,而此前最大仅为8层。

3D-TSV最多用在HBM显存上,这种技能经过芯片内部的打孔填充金属导电资料完成多层芯片互联,其速度更快,密度更高。三星此次发布的12层DRAM封装工艺需要在720微米厚的芯片上打超越60000个TSV孔,这些孔的尺度仅为人头发丝的二十分之一。

比较于8层HBM2,其芯片厚度相同,可是可以添加DRAM容量。厂商也无需调整系统配置。三星相关负责人表明,跟着AI、高功能核算等范畴的高速开展,保证超高功能存储器一切复杂性的封装技能正在变得越来越重要。而伴跟着摩尔定律到达极限,3D-TSV所扮演的人物将越来越要害。咱们期望站在这一最新芯片封装技能的最前沿。

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